KURS ISHI

KIRISH 2023-yilda yarimo‘tkazgichlar bozori global miqyosda 520 milliard AQSH dollaridan oshdi [1], raqamli texnologiyalarning jadal rivojlanishi va sun’iy intellekt, buyumlar interneti (IoT) hamda 5G kabi innovatsion yo‘nalishlarning kengayishi sababli 2030-yilga borib bu ko‘rsatkich 1 trillion dollarga yetishi prognoz qilinmoqda [2]. O‘zbekistonda ham raqamli iqtisodiyotga o‘tish doirasida Axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi ma’lumotlariga ko‘ra, 2022-yilda IT-sohasidagi eksport hajmi 140 million dollarni tashkil etgan bo‘lsa, bu ko‘rsatkich 2023-yilda 340 million dollarga yetib, 143% ga o‘sishni ko‘rsatdi [3]. Bu esa O‘zbekistonning raqamli transformasiya jarayonlarida, ayniqsa, ma’lumotlarni saqlash va qayta ishlash infratuzilmasini takomillashtirishda bistabil yacheykalarning muhim o‘rin tutishini ko‘rsatadi. Bugungi kunda mikrosxemalar dizaynida energiya samaradorligi, tezlik va ixchamlik asosiy talab bo‘lib qolmoqda. Bistabil yacheykalar, ya’ni ma’lumotlarni saqlash uchun ishlatiladigan fundamental elektron komponentlar, ushbu talablarni qondirishda muhim ahamiyatga ega. Biroq, zamonaviy texnologik cheklovlar, xususan, metastabillik hodisasi, kechikish vaqtlari va energiya iste’molining ortishi kabi muammolar mavjud. Ayniqsa, FinFET kabi yangi tranzistor texnologiyalaridan to‘g‘ri foydalangan holda bistabil yacheykalarni optimallashtirish, ularning ishonchliligi va samaradorligini oshirish dolzarb vazifa bo‘lib qolmoqda. Ushbu muammolarni hal etish, yuqori unumdorlikka ega raqamli qurilmalarni yaratish hamda O‘zbekistonning raqamli sanoatini rivojlantirish uchun poydevor yaratadi. Bistabil yacheykalar va ularning rivojlanishiga oid tadqiqotlar jahon miqyosida ko‘plab olimlar tomonidan olib borilgan. Misol uchun, R.J. Baker (2008) CMOS texnologiyasida mikrosxemalar dizayni bo‘yicha fundamental ishlarida flip-flop turlari va ularning ishlash prinsiplarini atroflicha tahlil qilgan [4]. J. Rabaey (2009) kam quvvat sarfi bilan ishlaydigan raqamli sxemalar dizaynini o‘rganib, bistabil yacheykalarning energiya samaradorligini oshirish usullarini taklif etgan [5]. Y. Taur va T.H. Ning (2008) o‘z tadqiqotlarida yarimo‘tkazgichli qurilmalarning fizik asoslarini va tranzistor texnologiyalaridagi o‘zgarishlarni, jumladan, FinFET ning bistabil yacheykalarga ta’sirini chuqur tahlil qilgan [6]. Shuningdek, T. N. Mudge (2012) m ...