KURS ISHI

KIRISH O'zbekistonda elektronika sanoati so'nggi yillarda sezilarli o'sish tendensiyasini namoyish etmoqda. Masalan, 2023-yilda mamlakatimizda elektronika mahsulotlari ishlab chiqarish hajmi 2,5 trillion so'mga yetgan bo'lib, bu 2022-yilga nisbatan 35% o'sishni tashkil etdi [1]. Xususan, yarimo'tkazgich texnologiyalari va integrallashgan sxemalar (IC) bozorining global hajmi 2023-yilda 573 milliard dollarni tashkil etib, 2030-yilga borib 1 trillion dollardan oshishi kutilmoqda [2]. Bu o'sish asosan Maydoniy tranzistor (FET) asosidagi qurilmalarga bo'lgan talabning ortishi bilan bog'liq, chunki ular mobil qurilmalar, sun'iy intellekt (AI) tizimlari va avtomobil elektronikasi kabi zamonaviy texnologiyalarning ajralmas qismidir. O'zbekistonning raqamlashtirish strategiyasi doirasida mahalliy ishlab chiqarishni yo'lga qo'yish va importga qaramlikni kamaytirish ustuvor vazifa sifatida belgilangan, bu esa FET asosidagi IC loyihalash va ishlab chiqarish sohasidagi ilmiy-amaliy tadqiqotlarning dolzarbligini yanada oshiradi [3]. Ushbu mavzuning hozirgi kundagi ahamiyati zamonaviy elektronika sohasida integratsiyalashgan sxemalarning murakkabligi va samaradorligini oshirish zarurati bilan belgilanadi. Mavjud texnologiyalarda quvvat samaradorligi, tezlik va hajmni optimallashtirish bo'yicha qator muammolar mavjud. Ayniqsa, FinFET va GAAFET kabi yangi avlod tranzistorlarining loyihalash imkoniyatlarini to'liq ochib berish va ularni samarali integratsiyalashish usullarini topish muhim ahamiyatga ega. Loyihalash jarayonida yuzaga keladigan xavflarni kamaytirish, hosildorlik darajasini oshirish va ishlab chiqarish xarajatlarini optimallashtirish masalalari ham hal etilmagan bo'lib, bu sohada chuqur ilmiy-amaliy tadqiqotlarni talab qiladi. Shuningdek, O'zbekiston sharoitida ushbu ilg'or texnologiyalarni mahalliy ishlab chiqarishga joriy etish uchun kadrlar salohiyatini oshirish va zamonaviy EDA vositalaridan samarali foydalanish strategiyalarini ishlab chiqish ham muhimdir. Maydoniy tranzistorlar va integrallashgan sxemalarni loyihalash bo'yicha dunyo miqyosida ko'plab fundamental tadqiqotlar o'tkazilgan. Masalan, Gordon Moore (1965) o'zining mashhur qonuni bilan integrallashgan sxemalardagi tranzistorlar sonining har ikki yilda ikki baravar ortib borish tendensiyasini bashorat qilgan [4]. Robert Noyce (1959) Fairchild Semiconductor kompaniyasida silikon asosidagi birinc ...