KURS ISHI

KIRISH Xotira qurilmalarini loyihalash sohasi bugungi kunda kompyuter texnologiyalari va raqamli iqtisodiyotning fundamental ustuni hisoblanadi. O‘zbekiston Respublikasi Iqtisodiy islohotlar markazi ma’lumotlariga ko‘ra, 2023-yilda mamlakatimizda raqamli texnologiyalar sektorining yalpi ichki mahsulotdagi ulushi 5,2%ga yetgan [1], bu sohaning jadal rivojlanishini ko‘rsatadi. Global miqyosda esa, MarketsandMarkets tadqiqotlariga ko‘ra, 2023-yilda yarimo‘tkazgichlar bozori hajmi 600 milliard AQSh dollaridan oshib, 2029-yilga borib 1 trilion dollarga yetishi prognoz qilinmoqda, bunda xotira qurilmalari bozorining o‘zi 180 milliard dollardan ortiq ulushga ega [2]. Bu ko‘rsatkichlar axborotni samarali saqlash va qayta ishlashga bo‘lgan global talabning ortib borayotganini yaqqol ko‘rsatib, VLSI texnologiyalari asosida ilg‘or xotira qurilmalarini loyihalashning strategik ahamiyatini yanada oshiradi. Ushbu mavzuning dolzarbligi, ayniqsa, ma’lumotlar hajmining eksponensial o‘sishi, sun’iy intellekt, katta ma’lumotlar (Big Data), bulutli hisoblashlar va Internet narsalari (IoT) kabi texnologiyalarning kengayishi sharoitida yanada ortmoqda. Hozirgi kunda xotira qurilmalari loyihalashtirishda Latency, Bandwidth va Power Consumption kabi muhim ko‘rsatkichlarni optimallashtirish, shuningdek, FinFET va EDA vositalari yordamida ishlab chiqarish Yield darajasini oshirish bo‘yicha hal etilmagan muammolar mavjud. Ayniqsa, mobil qurilmalar va yuqori unumdorlikdagi hisoblash tizimlarida quvvat samaradorligi va tezlikni birga ta’minlash, Memory Controller arxitekturasini takomillashtirish orqali tizim unumdorligini oshirish masalalari bugungi kunda texnologik tadqiqotlarning markazida turibdi. Xotira qurilmalarini loyihalash bo‘yicha jahon miqyosida ko‘plab yetuk olimlar tomonidan chuqur tadqiqotlar olib borilgan. Gordon Moore (1965) o‘zining mashhur "Moore qonuni"ni taklif qilib, integral sxemalardagi tranzistorlar sonining har ikki yilda ikki baravar ortishini bashorat qilgan [3], bu VLSI texnologiyalarining rivojlanishiga asos bo‘ldi. Robert Dennard (1974) DRAM texnologiyasini ixtiro qilib, xotira zichligini oshirish va quvvat iste’molini kamaytirish bo‘yicha muhim nazariy asoslarni yaratdi [4]. Eli Harari (1980-yillar) NAND Flash xotirasini ishlab chiqishda yetakchi rol o‘ynab, ma’lumotlarni doimiy saqlashning yangi standartlarini belgiladi, bu mobil qurilmalar va SSD dis ...