MUSTAQIL ISH

KIRISH Hozirgi zamonaviy elektronika texnologiyalarining jadal rivojlanishi sharoitida maydoniy tranzistorlar (MT) mikroelektronika, raqamli va analog sxemalar, quvvat elektronikasi hamda yuqori chastotali qurilmalar kabi ko'plab sohalarda markaziy o'rin egallaydi. Ularning kichik o'lchamlari, yuqori samaradorligi, kam quvvat iste'moli va tezkor ishlash qobiliyati elektronika tizimlarining umumiy ishlash samaradorligini oshirishga imkon beradi. Shu boisdan, maydoniy tranzistorlarning xususiyatlarini aniq tavsiflovchi matematik modellarni yaratish va ularni takomillashtirish dizayn jarayonlarining optimallashuvi, qurilmalarning ishonchliligi va ish faoliyatini prognozlash uchun hal qiluvchi ahamiyatga ega. Ushbu modellar dizaynerlarga murakkab elektronika sxemalarini virtual muhitda simulyatsiya qilish, xatarlarni kamaytirish va ishlab chiqarish xarajatlarini tejash imkonini beradi. Shuningdek, nanotexnologiyalar va yangi materiallarning joriy etilishi bilan MTlarning ishlash mexanizmlari yanada murakkablashmoqda, bu esa mavjud modellarni qayta ko'rib chiqish va yangilarini yaratish zaruriyatini keltirib chiqarmoqda. Ushbu tadqiqotning asosiy muammosi maydoniy tranzistorlarning turli xil ish rejimlari va texnologik variantlari uchun yuqori aniqlikdagi va hisoblash jihatidan samarali matematik modellarni ishlab chiqish hamda mavjud modellarning cheklovlarini bartaraf etishdan iborat. An'anaviy modellar ko'pincha ideallashtirilgan sharoitlarda yaratilgan bo'lib, ular haqiqiy qurilmalarning murakkab fizikaviy jarayonlarini, masalan, yuqori chastotali effektlar, haroratga bog'liqlik va nochiziqli xususiyatlarni to'liq aks ettirmaydi. Bu esa simulyatsiya natijalari va haqiqiy qurilmalar ishlashi o'rtasida sezilarli tafovutlarga olib kelishi mumkin. Tadqiqotning maqsadi esa maydoniy tranzistorlarning stasionar va dinamik xususiyatlarini yuqori aniqlikda tavsiflovchi, shu bilan birga dizayn va simulyatsiya jarayonlari uchun mos bo'lgan matematik modellarni ishlab chiqish, ...