MUSTAQIL ISH

KIRISH Yarimo'tkazgichli elektronika, jumladan, Metall-Dielektrik-Yarimo'tkazgich (MDYa) tranzistorlari zamonaviy texnologiyalarning fundamental asosi bo'lib xizmat qiladi. Integral mikrosxemalar, mikroprotsessorlar, xotira qurilmalari, kuchaytirgichlar va ko'plab boshqa elektron tizimlarning rivojlanishi bevosita MDYa-tranzistorlarining yuqori samaradorligi, ixchamligi va nisbatan arzonligi bilan bog'liq. Ushbu qurilmalarning ishlash samaradorligi va barqarorligi ularning volt-amper xarakteristikalari (VAX) va parametrlarining turli ish rejimlariga hamda tashqi sharoitlarga, xususan, temperaturaga bog'liqligini chuqur tushunishni talab etadi. Elektron qurilmalarning ishlashida xatoliklarning oldini olish, energiya samaradorligini oshirish va ularning umrini uzaytirish uchun ushbu bog'liqliklarni to'g'ri modellashtirish va optimallashtirish katta ahamiyatga ega. Ayniqsa, nanotexnologiya va yuqori chastotali ilovalarning rivojlanishi bilan tranzistorlarning ish harorati va quvvat sarfi muammolari tobora dolzarb tus olmoqda, bu esa ushbu qurilmalarning xususiyatlarini yuqori aniqlikda tahlil qilishni zarur qiladi. Shuningdek, kosmik, tibbiy va mudofaa sanoati kabi kritik sohalarda ishlatiladigan elektron qurilmalarning ishonchliligi ham MDYa-tranzistorlarining turli sharoitlardagi xatti-harakatlarini kompleks o'rganishni taqozo etadi. [rasm]} MDYa-tranzistorlarning volt-amper xarakteristikalari va parametrlarining ish rejimlariga hamda temperaturaga bog'liqligini chuqur tahlil qilishdagi asosiy muammo shundan iboratki, ularning ishlashi nafaqat kuchlanish va tok qiymatlariga, balki dielektrik qatlamining sifati, yarimo'tkazgich materiali tarkibi, gates kuchlanishi, tok tashuvchilarning harakatchanligi va eng muhimi, muhit haroratiga ham sezilarli darajada bog'liqdir. Haroratning o'zgarishi yarimo'tkazgich materialining ichki fizik xususiyatlariga bevosita ta'sir ko'rsatib, tok tashuvchilarning konsentratsiyasi, diffuziya koeffitsienti, harakatchanligi va shu orqali ...