MUSTAQIL ISH

KIRISH Yarim o'tkazgich – yarim o'tkazgich kontaktlar fizikasiga bag'ishlangan ushbu akademik mustaqil ish zamonaviy texnologiyalarning fundamental asoslarini tashkil etuvchi materialshunoslik va mikroelektronika sohasidagi eng dolzarb muammolardan birini tahlil qiladi. XXI asr axborot texnologiyalari va raqamli inqilob asri bo'lib, uning asosi yarim o'tkazgichli qurilmalar hisoblanadi. Mikroprosessorlar, xotira chiplari, LEDlar, quyosh batareyalari va boshqa son-sanoqsiz elektron komponentlar aynan yarim o'tkazgich materiallar asosida yaratiladi. Bu materiallarning xususiyatlari va ularning o'zaro ta'siri orqali elektron qurilmalarning funksionalligi, ishonchliligi, tezligi va samaradorligi belgilanadi. Ayniqsa, ikki xil yoki bir xil, ammo doping darajasi farqli bo'lgan yarim o'tkazgich materiallarning o'zaro tutashgan joyi, ya'ni yarim o'tkazgich – yarim o'tkazgich kontakti fizikasini chuqur tushunish, elektronika sanoatining kelajakdagi rivojlanishi uchun hal qiluvchi ahamiyatga ega. Ushbu kontaktlar, masalan, p-n o'tishlar, geterostrukturalar va omik kontaktlar, elektron qurilmalarning asosiy ishchi elementlari bo'lib xizmat qiladi va ularning xususiyatlari elektronlarning harakati, tokning o'tishi va energiya almashinuvini bevosita belgilaydi. Shuning uchun bu sohadagi har qanday yangi kashfiyot yoki mavjud bilimlarni chuqurlashtirish sanoatga katta foyda keltiradi va yangi avlod elektron qurilmalarini yaratishga zamin yaratadi. [rasm]} Mavjud tadqiqotlar va amaliy qo'llanilishlarga qaramay, yarim o'tkazgich – yarim o'tkazgich kontaktlarining barcha murakkab jihatlari to'liq tushunilgan emas. Xususan, yuqori harorat sharoitida, yuqori chastotalarda yoki ekstrimal radiatsiya ta'sirida bu kontaktlarning barqarorligi va ishlash samaradorligi bilan bog'liq muammolar saqlanib qolmoqda. Bundan tashqari, nanoteknologiyaning rivojlanishi bilan materiallarning o'lchamlari atom darajasiga yaqinlashganda, klassik yarim o'tkazgich nazariyalari o'z dolzarbligini yo'qotish ...